[发明专利]高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911141243.6 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110867486B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 周春宇;李洪岩;耿欣;王冠宇;蒋巍;乔世峰;耿连民 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/267;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙) 11474 | 代理人： | 王冬杰 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In |
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| 搜索关键词： | 高压 赫兹 应变 sige ingap 异质结 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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