[发明专利]一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法有效
| 申请号： | 201911135812.6 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110746975B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 段军红;邹时兵;倪武;刘亮;冯璐欣 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 黄文亮 |
| 地址： | 330000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，包括以下步骤，(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光 量子 cdznse cdse 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，/n(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；/n(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；/n(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。/n
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