[发明专利]一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法

说明书

本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，包括以下步骤，(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。

技术领域

本发明涉及纳米晶材料技术领域，具体涉及一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法。

背景技术

量子点(Quantum dots,QDs)又称为半导体纳米晶，由于空间三维都受到量子限域效应，使得其三维尺寸都在1-100nm之间，属于准零维的范畴。因为具有窄的发光光谱和高的光致发光量子产率，引起了人们在显示器，激光器以及太阳能电池的应用方面的广泛注意。目前，量子点的荧光量子产率在溶液中已经接近100％，但是成膜后的量子产率急剧下降，这严重影响了器件的性能，这是由于量子点成膜后处于密集状态，点间距离极大地缩小，量子点间的相互作用增强；电子和空穴可转移至有缺陷态的量子点，能量以非辐射复合的形式释放。虽然量子点间的能量转移机制目前仍在研究，但是可以确定点间距离减小会增强量子点间耦合，进而放大了少数量子点缺陷态的作用，最终导致荧光淬灭。目前普遍的高质量的量子点都是普通的核/壳结构，壳层的厚度几乎刚好达到发光核的晶格挤压极限，然后这样厚度的壳层完全不能抑制成膜后量子点间的相互作用。以CdZnSe作为内核，但是不起发光的作用，紧接着在表面包覆薄层的CdSe作为发光层，这样内核CdZnSe起到提供支撑的作用，创建内层高势垒，随后在最外层连续包覆CdZnSe，作用是创建外层高势垒，将电子和空穴局限在CdSe发光层，进而提高其辐射复合效率。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，由于超过5nm的壳层厚度，增大了量子点成膜后的点间距离，抑制了量子点间耦合，因此成膜后的量子产率也大大提高。

发明内容

本发明所要解决的问题是：提供一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，增大了量子点成膜后的点间距离，抑制了量子点间耦合，因此成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。

本发明为解决上述问题所提供的技术方案为：一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，

(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；

(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；

(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。

优选的，所述步骤(1)中需要多次改变Se前驱体的量和成核的保温时间来获得荧光发射位置在525nm的CdZnSe核量子点。

优选的，所述步骤(2)中阳离子前驱体为浓度0.1mmol/ml的油酸镉，阴离子前驱体为浓度为1mmol/ml的硒粉溶于三丁基磷TBP。