[发明专利]一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法

权利要求书

1.一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于包括以下部分：

(1)通过高温热注入法制备粒径为3.5nm的CdZnSe核量子点；

(2)步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与十八烯混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；

(3)在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点；

所述步骤(2)中阳离子前驱体为浓度0.1mmol/ml的油酸镉(Cd(OA)₂)，阴离子前驱体为浓度为1mmol/ml的硒粉(Se)溶于三丁基磷TBP；

所述步骤(2)中包覆CdSe壳层时的温度选择在300℃，滴加速率为6ml/h，具体保温时间是10分钟；

所述步骤(3)中的阴离子前驱体浓度为1mmol/ml的硒粉(Se)溶解于三丁基磷TBP；

所述步骤(3)中阳离子前驱体分别为浓度0.5mmol/ml油酸镉(Cd(OA)₂)、油酸锌(Zn(OA)₂)，滴加速率为3ml/h。

2.根 据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中需要多次改变Se前驱体的量和成核的保温时间来获得荧光发射位置在525nm的CdZnSe核量子点。

3.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于，所制备得的CdZnSe/CdSe量子点的荧光发射位置在590nm。

4.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中阳离子前驱体比例为油酸镉(Cd(OA)₂)：油酸锌(Zn(OA)₂)＝1:3。