[发明专利]改善热处理腔室污染的方法在审
| 申请号： | 201911134589.3 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112908838A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 左敏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善热处理腔室污染的方法，包括：提供晶圆；于晶圆的正面形成掺杂材料层；将正面形成有掺杂材料层的晶圆进行退火处理，退火处理的同时于掺杂材料层的表面形成离子扩散阻挡层。使得进行退火处理时，掺杂材料层内的掺杂离子被离子扩散阻挡层阻挡，抑制因为热运动而向各方向扩散的掺杂离子扩散到掺杂材料层的表面而溢出，温度探头的读温精度得以保持，热处理腔室内部被污染的情况得到抑制，减少了工作人员清理保养的频率次数，机台维护养护周期变长，减少了人力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 热处理 污染 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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