[发明专利]一种正背膜二合一的方法及设备在审
| 申请号： | 201911120762.4 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110993548A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 付平;黄勤;谢毅 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 邓芸 |
| 地址： | 620000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种正背模二合一的方法及设备，包括具备正/背膜两套工艺的文件的主工艺设备，并且能够根据石墨舟的实时状态来自动调取工艺文件，插取硅片片的机器人需要具备两套动作程序，并且能够根据石墨舟的实时状态来自动调取切换动作程序，需在现有上下料中转机构的基础上再增加一套中转机构，机器人将镀完一次膜的硅片从石墨舟中取出放入此中转机构中，然后翻转180°，再从此中转机构中取出硅片插入石墨舟去进行二次镀膜。本发明减少了一次上下料通道传输的过程，从而减少了制程碎片，减少了制程不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正背膜 二合一 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能(眉山)有限公司，未经通威太阳能(眉山)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911120762.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
