[发明专利]一种硅光转接板及三维架构的集成方法在审
申请号: | 201911120086.0 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110854025A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 杨妍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/528 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供硅光转接板的集成方法,包括步骤:在晶圆上完成硅光器件的波导刻蚀、外延、离子注入和热电极制备;在硅光器件的顶层沉积第一介质层并化学机械抛光,形成热光器件和/或硅光有源器件的第一接触孔;沉积第二介质层形成硅通孔;沉积第三介质层形成与热光器件和/或硅光有源器件对应的电极;电极对应第一接触孔和硅通孔,自电极的底部向下形成第二接触孔和第三接触孔;化学机械抛光并沉积第四介质层,第四介质层开设键合焊盘窗口并形成第一微凸块下金属或第一微凸块;硅通孔露出并沉积钝化层;刻蚀钝化层形成硅通孔的钝化层窗口,并形成重布线层和第二微凸块下金属或第二微凸块。本发明还提供三维架构的集成方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 转接 三维 架构 集成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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