[发明专利]一种硅光转接板及三维架构的集成方法在审

专利信息
申请号: 201911120086.0 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN110854025A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 杨妍 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/528
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供硅光转接板的集成方法,包括步骤:在晶圆上完成硅光器件的波导刻蚀、外延、离子注入和热电极制备;在硅光器件的顶层沉积第一介质层并化学机械抛光,形成热光器件和/或硅光有源器件的第一接触孔;沉积第二介质层形成硅通孔;沉积第三介质层形成与热光器件和/或硅光有源器件对应的电极;电极对应第一接触孔和硅通孔,自电极的底部向下形成第二接触孔和第三接触孔;化学机械抛光并沉积第四介质层,第四介质层开设键合焊盘窗口并形成第一微凸块下金属或第一微凸块;硅通孔露出并沉积钝化层;刻蚀钝化层形成硅通孔的钝化层窗口,并形成重布线层和第二微凸块下金属或第二微凸块。本发明还提供三维架构的集成方法。
搜索关键词: 一种 转接 三维 架构 集成 方法
【主权项】:
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