[发明专利]锆钛氧化物栅介质层柔性底栅薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201911114064.3 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111029402A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;杨晓东;刘汪钰;闫宏光;周亮宇;黄逸蒙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于锆钛氧化物的高介电常数栅介质层的底栅结构晶体管，极大丰富了晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能。为此，本发明采取的技术方案是，锆钛氧化物栅介质层柔性底栅薄膜晶体管及其制作方法，塑料衬底PET上依次为底栅电极、栅介质层BZT、硅薄膜，硅薄膜间隔形成有N+掺杂区，两处N+掺杂区上方分别设置源极、漏极。本发明主要应用于柔性电子器件的设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 介质 柔性 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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