[发明专利]一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用有效
申请号: | 201911111343.4 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN110929468B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 安霞;任哲玄;李艮松;张兴;黄如 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G06F30/39 | 分类号: | G06F30/39;G06F30/367 |
代理公司: | 北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙) 16025 | 代理人: | 侯文峰 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用,通过测试提取单粒子辐照前后多个不同尺寸器件的阈值电压分布,获得单粒子辐照引起的阈值电压涨落,进而对工艺涨落模型进行修正,修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求。本发明计算方法简单,应用范围广,可以面向不同技术代和不同辐射环境应用需求,修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求,提高纳米级集成电路在辐射环境下工作的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 粒子 辐照 引入 涨落 表征 方法 应用 | ||
【主权项】:
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