[发明专利]铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911101854.8 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110668499B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘红军;张福强;苏少凯;景芳丽;杨栋程;任彩霞 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法，利用单温区CVD系统，将草酸铈和WO |
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| 搜索关键词： | 掺杂 单分子层 硫化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，利用滑轨式单温区管式炉，以草酸铈作为掺杂剂对二硫化钨薄膜进行掺杂，包括以下步骤：/n步骤一，用乙醇及去离子水对衬底进行清洗并干燥；/n步骤二，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO
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