[发明专利]记忆体电路在审
申请号: | 201911096293.7 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN112309458A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 尤韦翔;苏彬;李愷信;胡正明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/412 | 分类号: | G11C11/412;G11C11/417 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 记忆体电路包括记忆体单元和源极线晶体管。记忆体单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、和第四晶体管。第二晶体管和第三晶体管形成一反相器其电性连接到第一晶体管的漏极。反相器配置为储存具有不同的施加的电压的两个状态。第四晶体管电性连接到反相器的节点。源极线晶体管电性连接到第四晶体管。 | ||
搜索关键词: | 记忆体 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911096293.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于分析半导体器件的系统和方法
- 下一篇:一种温度信息预测方法及装置