[发明专利]记忆体电路在审

专利信息
申请号: 201911096293.7 申请日: 2019-11-11
公开(公告)号: CN112309458A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 尤韦翔;苏彬;李愷信;胡正明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/412 分类号: G11C11/412;G11C11/417
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 记忆体电路包括记忆体单元和源极线晶体管。记忆体单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、和第四晶体管。第二晶体管和第三晶体管形成一反相器其电性连接到第一晶体管的漏极。反相器配置为储存具有不同的施加的电压的两个状态。第四晶体管电性连接到反相器的节点。源极线晶体管电性连接到第四晶体管。
搜索关键词: 记忆体 电路
【主权项】:
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