[发明专利]一种平板探测器有效
| 申请号： | 201911090235.3 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110707117B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王宗元;包亚洲;何海龙;杨刚;徐田雨;王世鑫;龙君 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0232;G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 金俊姬 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及数字化X线摄影技术领域，公开一种平板探测器。该平板探测器包括阵列基板、封装层、以及位于所述阵列基板与所述封装层之间且依次设置的第一闪烁体材料层、缓冲层和第二闪烁体材料层。本发明的平板探测器中，设置有两层闪烁体层，相比于仅设置一层闪烁体层，两层闪烁体层中每层的闪烁体材料的晶柱长度都比较短，可以有效降低晶柱受力断裂和剥离的概率，从而增加闪烁体材料层的稳定性和良率；并且，在两层闪烁体层之间设置有缓冲层，在封装膜收缩拉拽闪烁体层时，缓冲层可以吸收应力，从而避免底层闪烁体层受力导致的不良。因此，上述平板探测器中，闪烁体材料层的稳定性较好，在信赖性测试中不易出现不良，可以有效改善测试图像缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平板 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种平板探测器，其特征在于，包括阵列基板、封装层、以及位于所述阵列基板与所述封装层之间且依次设置的第一闪烁体材料层、缓冲层和第二闪烁体材料层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911090235.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像传感器单元
- 下一篇：发光器件和包括该发光器件的光源模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
