[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201911089309.1 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN112786755B | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 张金;魏洋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/24;H01L33/42 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 陈实顺 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管,包括:一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极,所述第一半导体层具有相对的第一表面及第二表面,所述第一电极设置在所述第一半导体层的第一表面,并与该第一表面直接接触,所述第一半导体层的第二表面与所述活性层接触设置,所述第二半导体层具有相对的第三表面及第四表面,所述第二电极设置在所述第二半导体层的第三表面,并与该第三表面直接接触,所述第二半导体层的第四表面与所述活性层接触设置,所述第一电极为一单根的第一碳纳米管,所述第二电极为一单根的第二碳纳米管,且第一碳纳米管的延伸方向与所述第二碳纳米管的延伸方向交叉设置。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911089309.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于光刻工艺的基板及导电膜
- 下一篇:半导体结构及半导体器件