[发明专利]一种适用于负压扩散炉的压力控制系统在审
申请号: | 201911076370.2 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN110867399A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 陈叶源 | 申请(专利权)人: | 陈叶源 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 537100 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路技术领域,且公开了一种适用于负压扩散炉的压力控制系统,包括排气管和真空泵,所述排气管和真空泵之间通过控制管连通,所述控制管的内侧壁活动连接有活动管,所述活动管和控制管之间设置有相互重合的配合孔,所述活动管的一侧设有稳压腔。该适用于负压扩散炉的压力控制系统,伴随着扩散炉内的压力变化,活动管和控制管的相对位置发生变化,进而控制排气流量自适应的调整扩散炉内压力,相比PID算法控制,响应速度更快,扩散炉内的压力更加平稳,一方面,随着压力变化自适应的调整,对压力传感器的需求度较低,另一方面,传感器设置在隔绝腐蚀性气体的腔室内,降低传感器精度对生产质量的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 扩散 压力 控制系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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