[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911076369.X | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110808284A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 朱涛;焦倩倩;李嘉琳;刘瑞;田亮;李玲;吴昊 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/335;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注入第二导电类型离子，注入的第二导电类型离子的浓度大于第一导电类型离子的浓度，对第二导电类型离子进行图形化激光退火，形成包含第一导电类型集电区和第二导电类型集电区的集电极层。本发明实施例提供的逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，相比现有技术中采用光刻工艺形成集电极层，简化了RC‑IGBT的制备工艺，减少了新结构开发周期，降低了产品开发成本，工艺易实现，可行性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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