[发明专利]无源射频器件机器制作方法在审
| 申请号： | 201911073285.0 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111081536A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;杨晓东;游子璇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/027;H01L21/822 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于射频无源器件领域，为提出一种新型无源滤波器结构，具有制作工艺简单，制作工艺与半导体制作工艺兼容的特点，使得无源器件易于与有源器件进行集成。在大规模集成电路的制作、SOC芯片高集成化生产以及射频单片集成电路等领域具有广泛的应用前景。为此，本发明采取的技术方案是，无源射频器件机器制作方法，首先通过光刻技术在本征半导体衬底上形成掺杂图形区域。然后，对该区域进行选择性高浓度掺杂，掺杂厚度为3‑5微米。掺杂后对器件进行退火处理，完成新型无源射频器件的制备。本发明主要应用于射频无源器件设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 无源 射频 器件 机器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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