[发明专利]一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201911057625.0 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110775978B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 许荣福;孔凡涛;李彦;许广池;李常厚;时月亚;徐勇;王志刚 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 济南智圆行方专利代理事务所(普通合伙企业) 37231 | 代理人： | 张玉琳 |
| 地址： | 250101 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维枝晶多孔硅的制备方法及其应用，属于多孔硅制备领域。其技术方案为：所述制备方法包括以下步骤：S1、前驱体合金制备；S2、将步骤S1得到的厚度为5μm~500μm的前驱体合金置于腐蚀液进行脱合金处理，得到脱合金试样；S3、后续处理得到三维微/纳米枝晶结构多孔硅材料。本发明的有益效果为：本发明的采用生产常用的铸造铝硅合金作为原材料，大幅降低生产成本，同时可解决粉末材料难以控制前驱体合金金相组织，进而调控最终制备多孔硅材料结构形貌这一难题；该发明中所述的前驱体合金组织调控及试验条件容易控制，可解决了低成本储能的产业化瓶颈问题，具有良好的商业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 多孔 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种三维枝晶多孔硅的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：/nS1、前驱体合金制备：取适量铝硅合金，使用熔炼设备将铝硅合金进行熔配，得到液态铝硅合金，将得到的液态铝硅合金进行适宜的熔体处理，然后调控熔体的冷却速度并浇注获得试样，将所得试样采用线切割和预磨机磨制进行处理，得到厚度为5μm~500μm的前驱体合金；/nS2、将步骤S1得到的厚度为5μm~500μm的前驱体合金置于腐蚀液进行脱合金处理，得到脱合金试样；/nS3、后续处理：将步骤S2得到的脱合金试样，先用去离子水反复冲洗100s~300s，然后再放入无水乙醇中，利用超声波清洗6min~15min，从而清除残留的其他杂质附着物，最后将湿润状态下的试样放入真空干燥箱中干燥5h~10h，即可得到三维微/纳米枝晶结构多孔硅材料。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东建筑大学，未经山东建筑大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911057625.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
