[发明专利]超级结及其制造方法有效
| 申请号： | 201911051619.4 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110767744B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李昊;陆怡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结，包括：形成于第一导电类型的第一外延层中的沟槽，在沟槽中形成有第二导电类型的第二外延层，第二外延层未将沟槽完全填充并在沟槽中围成V型开口；在V型开口中填充有第一介质层和非掺杂半导体层，非掺杂半导体层位于第一介质层的顶部并将第一介质层封闭在内部；由填充于沟槽中的第二外延层组成第二导电类型柱，由沟槽之间的第一外延层组成第一导电类型柱，由第一和第二导电类型柱交替排列形成超级结。本发明还公开了一种超级结的制造方法。本发明能采用外延层加介质层填充沟槽的结构从而能提高器件的击穿电压以及击穿电压面内均匀性，同时还能避免沟槽内的介质层受到损伤以及由此带来的工艺不稳定以及器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结，其特征在于，包括：/n多个形成于第一导电类型的第一外延层中的沟槽，所述第一外延层形成于半导体衬底表面；/n在所述沟槽的底部表面和侧面形成有第二导电类型的第二外延层，所述第二外延层未将所述沟槽完全填充并在所述沟槽中围成V型开口；/n在所述V型开口中填充有第一介质层和非掺杂半导体层，所述非掺杂半导体层位于所述第一介质层的顶部，所述非掺杂半导体层和所述第二外延层将所述第一介质层封闭在内部形成对所述第一介质层的保护结构；/n由填充于所述沟槽中的所述第二外延层组成第二导电类型柱，由所述沟槽之间的所述第一外延层组成第一导电类型柱，所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱电荷匹配，由所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排列形成超级结。/n
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