[发明专利]一种基于PVD技术制备钝化接触结构的方法在审
| 申请号： | 201911050687.9 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110931596A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;陈嘉;赵影文;季根华;黄思;刘志锋;张育政 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 李托弟 |
| 地址： | 225500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于PVD技术制备钝化接触结构的方法。该方法包括：步骤(1)：清洗硅片表面；步骤(2)：在清洗后的硅片表面制备双面p+或双面n+掺杂区域；步骤(3)：将背面置于溶液中进行刻蚀处理；步骤(4)：在背面沉积隧穿氧化层；步骤(5)：采用PVD的方法在隧穿氧化层上沉积掺杂的非晶硅薄膜；步骤(6)：将硅片自然冷却至室温；步骤(7)：将冷却后的硅片进行快速热退火处理。本发明中的PVD法制备钝化接触结构能够很好地解决管式LPCVD带来的绕镀和不均匀问题，并彻底解决由绕镀造成的太阳电池EL和外观不良的问题，同时能够解决因绕镀的多晶硅层吸光造成的短路电流较低及不均匀引起的串联电阻增加问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pvd 技术 制备 钝化 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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