[发明专利]一种MOS栅控晶闸管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911037622.0 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110752257B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张波;陈楠;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，具体的说是涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要是在相同元胞宽度下减小多晶硅栅极面积，从而在不牺牲器件导通及阻断特性的情况下，减小了器件的栅阳电容，具有高dv/dt抗性，可靠性高等优点，同时与现有MOS栅控晶闸管工艺兼容，解决了常规的MOS栅控晶闸管在脉冲功率应用时储能电容充电过程中的误开启问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS栅控晶闸管，其元胞结构包括由P+阳极(31)和位于P+阳极(31)下表面的阳极金属(32)构成的阳极结构、位于阳极结构顶部的N-漂移区(21)和位于N-漂移区(21)顶部的栅极结构与阴极结构；所述阴极结构分为两部分，分别位于N-漂移区(21)上层的两端，且以N-漂移区(21)的垂直中线呈对称分布，每部分包括具有凸起结构(29)的P型阱区(25)、N型阱区(26)、N+源区(27)、P+源区(28)和阴极金属(30)；所述P型阱区(25)设置在漂移区顶部；所述N型阱区(26)位于P型阱区(25)上层；所述N+源区(27)和P+源区(28)并列设置并均位于N型阱区(26)上层，P型阱区(25)、N+源区(27)和P+源区(28)上表面与阴极金属(30)连接；所述P型阱区(25)通过凸起结构(29)与阴极金属(30)连接；所述栅极结构由位于N-漂移区(21)顶部的栅氧化层(22)、位于栅氧化层(22)顶部的多晶硅栅极(23)和位于N-衬底(21)上层的P+岛区(24)构成；所述栅氧化层(22)和多晶硅栅极(23)分为两部分的分离栅结构，分离栅结构包括由第一栅氧结构(221)，第一多晶硅结构(222)组成的第一栅极结构和由第二栅氧结构(222)，第二多晶硅结构(232)的组成的第二栅极结构，分裂栅结构以N-漂移区(21)的垂直中线呈对称分布，分离栅结构底部与两侧的部分P+源区(28)、N型阱区(26)和P型阱区(25)上表面接触，分离栅结构底部同时覆盖阴极结构与P+岛区(24)之间的N-漂移区(21)上表面；P+岛区(24)上表面的两端分别与两侧的分离栅结构的部分底部接触。/n
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