[发明专利]一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 201911034668.7 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911494B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王萌;王昌锋;田明;孙亚宾;石艳玲;李小进;廖端泉;曹永峰 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管，包括垂直堆叠的纳米片沟道，包裹在沟道外的双层栅极氧化物，设于沟道两端的源和漏，设于源与栅极之间的双层侧墙，设于漏与栅极之间的栅极氧化物漏端延长区及双层侧墙，设置在底部的衬底。本发明特征是漏与栅极之间设双层侧墙，在双层侧墙下方设栅极氧化物漏端延长区，源与栅极之间仅设双层侧墙，从而构成非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管。本发明与现有对称型技术相比，漏双层侧墙底部的栅极氧化物漏端延长区降低了器件寄生电容，源双层侧墙保证了栅电极对沟道中电荷的耦合，从而保证开态电流足够大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 结构 纳米 片环栅 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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