[发明专利]连续CZ方法和设备在审
| 申请号： | 201911024577.5 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110714223A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | W·L·卢特尔;W·黄 | 申请（专利权）人： | GTATIP控股有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/02;C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种连续CZ方法和设备，本发明有关一种CZ成长方法和设备，较佳为一种连续CZ成长方法和设备，其中实质上防止输送系统所提供的固体原料在晶锭成长期间进入坩埚的成长区域。以此方式，产生具有特别一致性质的晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 方法和设备 晶锭 成长区域 固体原料 输送系统 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种CZ成长设备，包括：/n坩埚，其具有至少一个分隔内成长区域和外进料区域的壁，该壁具有至少一个在该内成长区域和该外进料区域之间提供限制的流体连通的开口；/n固体原料输送系统，其包括进料器，该进料器具有悬伸于该坩埚的该外进料区域上且在其中输送包括硅的固体原料的输送点；/n安置在该坩埚的该内成长区域上的隔热屏蔽，该隔热屏蔽与该壁之间为空隙所分隔；/n至少一个粒子阻挡装置，其防止该固体原料通过该空隙且实质上防止该固体原料进入该坩埚的该内成长区域；/n其中，该粒子阻挡装置安置在该外进料区域上且包括安置在该坩埚的该壁且延伸至邻近该隔热屏蔽的位置的垂直段，该垂直段至少部分安置的该输送点和该空隙之间。/n
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