[发明专利]连续CZ方法和设备在审
| 申请号： | 201911024577.5 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110714223A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | W·L·卢特尔;W·黄 | 申请（专利权）人： | GTATIP控股有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/02;C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法和设备 晶锭 成长区域 固体原料 输送系统 坩埚 | ||
1.一种CZ成长设备，包括：
坩埚，其具有至少一个分隔内成长区域和外进料区域的壁，该壁具有至少一个在该内成长区域和该外进料区域之间提供限制的流体连通的开口；
固体原料输送系统，其包括进料器，该进料器具有悬伸于该坩埚的该外进料区域上且在其中输送包括硅的固体原料的输送点；
安置在该坩埚的该内成长区域上的隔热屏蔽，该隔热屏蔽与该壁之间为空隙所分隔；
至少一个粒子阻挡装置，其防止该固体原料通过该空隙且实质上防止该固体原料进入该坩埚的该内成长区域；
其中，该粒子阻挡装置安置在该外进料区域上且包括安置在该坩埚的该壁且延伸至邻近该隔热屏蔽的位置的垂直段，该垂直段至少部分安置的该输送点和该空隙之间。
2.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置为至少部分覆盖该坩埚的该内成长区域的粒子屏蔽。
3.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置为安置在该坩埚的该壁上并且伸入该内成长区域的粒子屏蔽。
4.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置为安置在该坩埚的该壁的该开口的粒子屏蔽。
5.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置为至少部分环绕或位于该进料器的该输送点内而安置的粒子屏蔽。
6.根据权利要求5所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置为安置在该进料器内的套件，该套件至少部分延伸至该进料器的该输送点下，而且具有安置在该坩埚的该外进料区域内的下边缘。
7.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置为环绕该隔热屏蔽周围安置的隔离外壳。
8.根据权利要求7所述的CZ成长设备，其中，该隔离外壳为至少部分安置在该外进料区域上。
9.根据权利要求7所述的CZ成长设备，其中，该隔离外壳为至少部分安置在该内成长区域上。
10.根据权利要求7所述的CZ成长设备，其中，该隔离外壳为环绕该隔热屏蔽外部安置。
11.根据权利要求7所述的CZ成长设备，其中，该隔热屏蔽的该下边缘安置在该内成长区域内的该壁的该上边缘下方，以及其中该隔离外壳是环绕该隔热屏蔽的该下边缘安置。
12.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该粒子阻挡装置包括石英、石墨、经碳化硅涂布的石墨、或碳化硅。
13.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该固体原料进一步包括至少一种掺杂物材料。
14.根据权利要求13所述的CZ成长设备，其中，该掺杂物材料为磷、硼、镓、铟、铝、砷、或锑。
15.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该内成长区域和该外进料区域包括欲于其中熔化的包括硅的固体预进料。
16.根据权利要求15所述的CZ成长设备，其中，在该内成长区域、该外进料区域、或两者中的该固体预进料进一步包括至少一种掺杂物材料。
17.根据权利要求1所述的CZ成长设备，其中，该CZ成长设备为连续CZ成长设备。
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