[发明专利]具有三维电感结构的半导体装置在审
| 申请号: | 201911012125.5 | 申请日: | 2019-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN111162166A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | J·E·戴维斯;K·G·杜斯曼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02;H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请案涉及具有三维电感结构的半导体装置。本文揭示具有电感结构的半导体装置以及相关联系统及方法。在一个实施例中,半导体装置包含衬底及耦合到所述衬底的至少一个电路组件。所述半导体装置可进一步包含由所述衬底承载并且具有交替的第一及第二层的堆叠的电感结构。在一些实施例中,所述第一层包括氧化物材料,且所述第二层各自包含导电材料线圈。所述导电材料线圈可(a)电耦合在一起以形成电感器及(b)电耦合到所述至少一个电路组件。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 三维 电感 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911012125.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





