[发明专利]具有三维电感结构的半导体装置

权利要求书

1.一种电感结构，其包括：

衬底；

多个层级，其布置在所述衬底上的堆叠中，其中—

层级的所述堆叠包含阶梯式部分，

所述层级中的个别者包含(a)在所述阶梯式部分处从所述堆叠暴露的外围区，(b)第一层，及(c)在所述第一层上方的第二层，且

所述第一层包含电绝缘材料；及

多个导电材料环状物，其中所述环形成在所述第二层中的对应者中，且其中所述环状物电耦合在一起以形成电感器。

2.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述环状物在所述阶梯式部分处可电接达。

3.根据权利要求2所述的电感结构，其进一步包括：

金属化结构；及

多个导电部件，其在所述堆叠的所述阶梯式部分与所述金属化结构之间延伸，其中所述导电部件将所述金属化结构电耦合到所述环状物。

4.根据权利要求3所述的电感结构，其进一步包括在所述堆叠的所述阶梯式部分上方的氧化物材料，其中所述导电部件大体上垂直地延伸通过所述氧化物材料。

5.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述环状物中的个别者包含多个平面绕组。

6.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述环状物串联电耦合在一起。

7.根据权利要求1所述的电感结构，其中—

所述电绝缘材料是氧化物材料；

所述导电材料是钨；且

所述第二层进一步包含至少部分围绕所述钨的氮化物材料。

8.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述多个层级包含一百个以上的层级。

9.一种形成电感结构的方法，所述方法包括：

在衬底上形成层级的堆叠，其中所述层级中的个别者包含第一层及在所述第一层上方的第二层；

移除所述堆叠的一部分以形成所述堆叠的阶梯式部分，其中所述层级中的个别者包含在所述阶梯式部分处从所述堆叠暴露的外围区；

选择性地移除所述第二层的部分；

将导电材料沉积在所述第二层的所述移除部分中，以在所述第二层中形成所述导电材料的环状物；以及

将所述环状物电耦合在一起以形成电感器。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一层包括氧化物材料，且其中所述第二层包括氮化物材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中选择性地移除所述第二层的部分包含选择性地蚀刻所述第二层的所述氮化物材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法进一步包括穿过层级的所述堆叠蚀刻高纵横比孔，且其中选择性地蚀刻所述氮化物材料包含通过所述高纵横比孔引入蚀刻剂。

13.根据权利要求9所述的方法，其中将所述环状物电耦合在一起以形成电感器包含形成电耦合到(a)所述环状物中的相应者及(b)金属化结构的导电部件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述导电部件在所述层级的所述外围区域与所述金属化结构之间大体上垂直地延伸。

15.根据权利要求9所述的方法，其中移除所述堆叠的所述部分包含：

将掩模沉积在所述层级中的最上一者上；

迭代地(a)蚀刻所述堆叠并随后(b)移除所述掩模的一部分。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述方法进一步包括在移除所述堆叠的所述部分之后选择性地移除所述第二层的所述部分以形成所述阶梯式部分。