[发明专利]一种N型叉指背接触太阳电池制备方法在审
| 申请号： | 201911006566.4 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111490105A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 高嘉庆;屈小勇;郭永刚;宋志成;吴翔 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0288;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 710099 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型叉指背接触太阳电池制备方法，步骤如下：硅片清洗正面制绒、硅片正面离子注入磷、硅片背面离子注入磷、RCA清洗、双面沉积氮化硅、背面P区激光开槽、背面硼扩散、P区沉积氮化硅、丝网印刷正负电极、烧结，其中第一步制绒操作中选择N型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理，N型硅片的厚度为140～200μm，电阻率为1～10Ωm。优点在于：采用离子注入技术分步形成前表面场(FSF)和N型背表面场(BSF)，对电池正反面的N型掺杂区的方阻和结深进行单独控制，并通过在高温硼扩散过程中激活前表面和背表面离子注入的磷，减少了工艺步骤，提升电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型叉指背 接触 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
