[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201911001601.3 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112768521B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;朱桂闯;何乃龙;张森;李少红;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
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