[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201910984674.2 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN112670316A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 任华进;顾辛艳;甄常刮 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁文惠 |
地址: | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种发光装置。该发光装置包括基材层以及设置于基材层的第一表面的像素隔离结构,像素隔离结构之间形成多个相互隔离的子像素区域,发光装置还包括:多个发光单元,一一设置于子像素区域中,用于发出不同波长的光,发光单元为电致发光器件,各发光单元的原始外量子效率具有差异;多个光提取结构,一一设置于至少部分子像素区域中,用于提高对应的发光单元的外量子效率,使得各发光单元的实际外量子效率差异减少。上述发光装置中通过将对应于不同发光单元的光提取结构差异化设置,能够对不同发光单元的外量子效率进行优化,使不同发光单元最终的外量子效率接近,实现同步老化,延长装置的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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