[发明专利]一种制备单晶硅棒的方法在审
申请号: | 201910983360.0 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110541190A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 尉茂 | 申请(专利权)人: | 武汉先见科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/02 | 分类号: | C30B15/02;C30B15/00;C30B29/06;C30B29/60 |
代理公司: | 31253 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周琼<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 430000 湖北省武汉市江汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备单晶硅棒的方法,包括:S1、在直拉单晶炉内的石英坩埚中放入一定量的多晶硅;S2、在直拉单晶炉内设置一根进气陶瓷管;S3、炉内抽真空,加热融化多晶硅形成硅液,将进气陶瓷管下端浸入石英坩埚内的硅液中;S4、从进气陶瓷管中通入氯硅烷,氯硅烷在管壁开始分解成颗粒硅,未反应的氯硅烷进一步在硅液中鼓泡分解、熔化成硅液;S5、硅液达到一定高度后,停止通入氯硅烷,并抽真空至3Pa维持;S6、使用籽晶拉制出单晶硅棒。本发明的方法中直接将氯硅烷或硅烷通入硅液中,氯硅烷或硅烷会在管壁和硅液中鼓泡两个阶段分解,大大提高了分解效率,并无硅粉尘产生,用于解决现有技术中硅烷制造直拉单晶硅棒转化率低的问题。 | ||
搜索关键词: | 硅液 氯硅烷 进气陶瓷管 硅烷 分解 直拉单晶炉 单晶硅棒 石英坩埚 抽真空 多晶硅 鼓泡 管壁 直拉单晶硅棒 熔化 加热融化 浸入 拉制 硅粉尘 颗粒硅 炉内 下端 籽晶 制备 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制备单晶硅棒的方法,其特征在于包括以下步骤:/nS1、在直拉单晶炉内的石英坩埚中放入一定量的多晶硅;/nS2、在直拉单晶炉内设置一根进气陶瓷管;/nS3、炉内抽真空,加热融化多晶硅形成硅液,将进气陶瓷管下端浸入石英坩埚内的硅液中;/nS4、从进气陶瓷管中通入氯硅烷或硅烷,氯硅烷或硅烷在管壁开始分解成颗粒硅,并落入石英坩埚内中融化成硅液,未反应的氯硅烷或硅烷进一步在硅液中鼓泡分解、熔化成硅液;/nS5、硅液达到一定高度后,停止通入氯硅烷或硅烷,并抽真空至3Pa维持一定时间;/nS6、使用籽晶拉制出单晶硅棒。/n
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