[发明专利]原子层刻蚀设备及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910982819.5 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110718440B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵晓丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法。该原子层刻蚀设备包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；上射频组件用于向工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；辅助等离子体产生装置用于向工艺腔室内输送电子，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。本申请实施例实现了工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原子层刻蚀设备，其特征在于，包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；/n所述上射频组件用于向所述工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；/n所述辅助等离子体产生装置用于向所述工艺腔室内输送电子，以使所述等离子体稳定在感性耦合放电模式。/n
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