[发明专利]原子层刻蚀设备及刻蚀方法

权利要求书

1.一种原子层刻蚀设备，其特征在于，包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；

所述上射频组件用于向所述工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；

所述辅助等离子体产生装置用于在等离子体为容性耦合放电模式时向所述工艺腔室内输送电子，以缩短所述等离子体进入感性耦合放电模式的时间，并使所述等离子体稳定在感性耦合放电模式。

2.如权利要求1所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述辅助等离子体产生装置包括发生器及传输器，所述发生器通过所述传输器与所述工艺腔室连接。

3.如权利要求2所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述辅助等离子体产生装置还包括镇流器，所述镇流器与所述发生器电连接，用于调整所述发生器的电流。

4.如权利要求3所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述发生器为紫外线灯。

5.如权利要求2所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述发生器为电子枪，所述传输器真空传输介质；所述电子枪用于产生电子束并且通过所述真空传输介质传输至所述工艺腔室内。

6.如权利要求1所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述原子层刻蚀设备还包括监测装置，所述监测装置设置于所述工艺腔室内，用于监测所述工艺腔室内等离子体的放电模式。

7.如权利要求1至6的任一所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述原子层刻蚀设备还包括下射频组件，所述工艺腔室内设置有用于承载基片的基座；所述下射频组件包括下射频电源及下匹配器，所述下射频电源通过所述下匹配器与所述基座连接，用于在所述基座上形成偏压电场。

8.一种原子层刻蚀方法，应用于如权利要求1至7的任一所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，包括如下步骤：

吸附步骤，向工艺腔室内通入第一工艺气体，开启上射频组件及辅助等离子体产生装置，根据工艺腔室内等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式；

去除步骤，关闭辅助等离子体产生装置，去除第一工艺气体；

刻蚀步骤，向工艺腔室内通入第二工艺气体，开启上射频组件及辅助等离子体产生装置，根据等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态；

清除步骤，清除第二工艺气体及刻蚀产物。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态，包括：

监测并判断等离子体是否稳定在感性耦合放电模式；若是，则关闭辅助等离子体产生装置；若否，则调整辅助等离子体产生装置的功率，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体为活性气体，所述第二工艺气体为惰性气体。