[发明专利]电容器的制备方法及电容器有效
申请号: | 201910980364.3 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN112670408B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请(专利权)人: | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 |
主分类号: | H10N97/00 | 分类号: | H10N97/00 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;龚慧惠 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电容器的制备方法,包括:形成一顶电极;于所述顶电极上沉积一非晶硅锗层;以及通过准分子激光退火工艺对所述非晶硅锗层进行晶化处理以形成一多晶硅锗层,所述多晶硅锗层与所述顶电极电性连接。本发明还提供由上述方法制得的电容器。 | ||
搜索关键词: | 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体(青岛)有限公司,未经夏泰鑫半导体(青岛)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910980364.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。