[发明专利]电容-悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程在审
| 申请号： | 201910973280.7 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110775938A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 胡军;何金良;韩志飞;薛芬;余占清;曾嵘;张波;李琦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01R3/00;G01R29/08 |
| 代理公司： | 12217 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王山 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于逆压电效应的电容‑悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程，包括硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤，所述硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤依次进行。其有益效果是：采用微加工技术制备传感器，实现传感器的小体积和低成本，有利于工业批量生产；制备流程保证了传感器的可靠性；制备过程将压电材料制备技术与硅微加工技术相结合，保证了工艺的兼容性；流程设计保证了工艺步骤的最简化和生产周期的最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 硅晶片加工 加工步骤 组合步骤 传感器 硅微加工技术 生产周期 逆压电效应 微加工技术 制备传感器 传感器件 电场测量 工艺步骤 流程设计 悬臂梁式 压电材料 制备过程 工艺流程 低成本 兼容性 最小化 电容 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种基于逆压电效应的电容-悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程，包括硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤，所述硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤依次进行，其特征在于：/n所述硅晶片加工步骤为对硅晶片(1)的加工步骤，包括刻蚀对准标记步骤、刻蚀空腔步骤、第一热氧化步骤、制备电容下电极步骤；/n所述SOI晶片加工步骤为对SOI镜片(6)的加工步骤；/n所述组合工艺步骤包括焊料键合步骤、ICP刻蚀硅及氧化硅步骤、制备电容上电极步骤、制备压电材料步骤、极化压电材料步骤、暴露电容上电极步骤、激光切割制备悬臂梁步骤、打线步骤。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910973280.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
