[发明专利]一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元有效
| 申请号： | 201910971139.3 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112652706B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王开友;李予才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H10N50/20 | 分类号： | H10N50/20;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元，所述无需外部磁场辅助的自旋轨道矩。存储单元包括自旋轨道矩磁隧道结结构，该自旋轨道矩磁隧道结结构包括反铁磁绝缘层、位于所述反铁磁绝缘层上的重金属层、位于所述重金属层上的自由层、位于所述自由层上的隧道势垒层及位于所述隧道势垒层上的参考层、及位于所述参考层上的顶电极；其中，通过在所述重金属层中施加电流以产生自旋流。通过所述反铁磁绝缘层对所述自由层与所述重金属层之间的DMI进行调节，使得磁性层在无外磁场下，实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转，从而实现自由层的无外磁场辅助的磁矩翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 外部 磁场 自旋 轨道 存储 单元 | ||
【主权项】：
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