[发明专利]基于FDSOI结构的电平转换单元电路及版图设计方法有效
| 申请号： | 201910969246.2 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110620577B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张凯;胡晓明;高唯欢 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于FDSOI结构的电平转换单元电路及版图设计方法，所述电路包括第一反相器、锁存电路以及第二反相器，所述第一反相器、锁存电路以及第二反相器中的PMOS晶体管采用P型衬底，衬底电压为P型衬底电压VPW，NMOS晶体管采用N型衬底，衬底电压为N型衬底电压VNW，通过本发明，增强了第一和第二输出节点处的下拉能力，保证第一和第二输出节点处能够全幅振荡；加快了第二反相器开启速度，减小电路延迟15％以上，提高电路的工作性能；同时避免了因PMOS晶体管衬底电压不同而引入不同电位N阱之间的极大间隔，节省面积约70％。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fdsoi 结构 电平 转换 单元 电路 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于FDSOI结构的电平转换单元电路，包括第一反相器、锁存电路以及第二反相器，其特征在于：所述第一反相器、锁存电路以及第二反相器中的PMOS晶体管采用P型衬底，衬底电压为P型衬底电压VPW，NMOS晶体管采用N型衬底，衬底电压为N型衬底电压VNW。/n
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