[发明专利]一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，包括P型硅，所述P型硅的正面从内到外依次沉积有N型重掺杂硅层和正面SiNx减反射层，所述N型重掺杂硅层中设置有相互接触的二氧化硅层和N型重掺杂多晶硅层，且二氧化硅层设置于靠近P型硅一侧，所述正面SiNx减反射层中设置有Ag栅指电极，所述Ag栅指电极与N型重掺杂多晶硅层相互对应且形成欧姆接触；所述P型硅的背面从内到外依次沉积有三氧化二铝层和背面SiNx减反射层。本发明制备形成的TOPCon太阳能电池结构可结合现有异质接面结构以及传统多晶硅接面结构的优点，即具有高载子选择性、高温度稳定性，优良的界面钝化效果，从而实现高转换效率，高稳定性的太阳能电池。

主权项

1.一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，包括P型硅(6)，其特征在于：所述P型硅(6)的正面从内到外依次沉积有N型重掺杂硅层(5)和正面SiNx减反射层(2)，所述N型重掺杂硅层(5)中设置有相互接触的二氧化硅层(4)和N型重掺杂多晶硅层(3)，且二氧化硅层(4)设置于靠近P型硅(6)一侧，所述正面SiNx减反射层(2)中设置有Ag栅指电极(1)，所述Ag栅指电极(1)与N型重掺杂多晶硅层(3)相互对应且形成欧姆接触；/n所述P型硅(6)的背面从内到外依次沉积有三氧化二铝层(8)和背面SiNx减反射层(9)，所述三氧化二铝层(8)与P型硅(6)连接处设置有P型重掺杂硅层(7)，所述三氧化二铝层(8)和背面SiNx减反射层(9)中贯穿设置有Al电极(10)，所述Al电极(10)与P型重掺杂硅层(7)相互对应且形成欧姆接触。/n