[发明专利]一种改善直拉单晶成晶方法在审

专利信息
申请号: 201910963840.0 申请日: 2019-10-11
公开(公告)号: CN110552056A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 吴树飞;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 申请(专利权)人: 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
主分类号: C30B15/04 分类号: C30B15/04;C30B29/06
代理公司: 12213 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 栾志超
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙;15
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摘要: 发明提供一种改善直拉单晶成晶方法,包括:在直拉单晶初期装料阶段依次向石英坩埚装入硅原料和碳酸钡粉;所述石英坩埚包括本体,所述本体包括透明层和气泡层,所述透明层和所述气泡层依次从内到外设置;在所述本体外壁设有外涂层。本发明提出一种用于改善且适用于P型和N型单晶硅棒拉制的成晶方法,解决了现有技术多次在复投装料时进行重复撒入碳酸钡粉而使硅液中钡元素含量增加,导致直拉单晶成晶率低的技术问题,不仅可提高单晶拉制的成晶率,而且还可有效控制硅液中钡元素的含量,简化流程,且提高生产效率,降低生产成本。
搜索关键词: 直拉单晶 装料 石英坩埚 钡元素 气泡层 碳酸钡 透明层 硅液 单晶拉制 含量增加 生产效率 有效控制 拉制 硅原料 外涂层 外壁 装入 重复
【主权项】:
1.一种改善直拉单晶成晶方法,其特征在于,包括:在直拉单晶初期装料阶段依次向石英坩埚装入硅原料和碳酸钡粉;所述石英坩埚包括本体,所述本体包括透明层和气泡层,所述透明层和所述气泡层依次从内到外设置;在所述本体外壁设有外涂层。/n
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