[发明专利]一种改善直拉单晶成晶方法在审
| 申请号： | 201910963840.0 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110552056A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴树飞;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 12213 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直拉单晶 装料 石英坩埚 钡元素 气泡层 碳酸钡 透明层 硅液 单晶拉制 含量增加 生产效率 有效控制 拉制 硅原料 外涂层 外壁 装入 重复 | ||
1.一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，包括：在直拉单晶初期装料阶段依次向石英坩埚装入硅原料和碳酸钡粉；所述石英坩埚包括本体，所述本体包括透明层和气泡层，所述透明层和所述气泡层依次从内到外设置；在所述本体外壁设有外涂层。
2.根据权利要求1所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述本体和所述外涂层均包括直筒部和置于所述直筒部下方的弯曲部，再所述直筒部和所述弯曲部之间设有连接部，所述直筒部、所述连接部和所述弯曲部一体设置。
3.根据权利要求2所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述硅原料至少装满所述弯曲部。
4.根据权利要求3所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述硅原料上端面最低位置为所述连接部与所述直筒部连接处。
5.根据权利要求4所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，在所述硅原料上端面沿所述直筒部周缘撒入所述碳酸钡粉。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述碳酸钡粉重量为0.2-1g。
7.根据权利要求6所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述碳酸钡粉重量为0.05g。
8.根据权利要求7所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述碳酸钡粉由天平秤称重。
9.根据权利要求1-5、7-8任一项所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述硅原料为细颗粒多晶硅，所述硅原料粒径范围为80-120mm。
10.根据权利要求9所述的一种改善直拉单晶成晶方法，其特征在于，所述透明层由99.9999％的高纯度石英砂粉与少量钡粉混合制成；所述钡粉含量为0.03-0.05g/kg。
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