[发明专利]一种用于LDO自适应漏电补偿的电路在审

专利信息
申请号: 201910961954.1 申请日: 2019-10-11
公开(公告)号: CN110568895A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 杨红伟;吴建刚 申请(专利权)人: 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 32102 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人: 陈忠辉
地址: 215123 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种用于LDO自适应漏电补偿的电路,其中LDO的供电PMOS管MPP的栅极与误差放大器EA的输出相接,其特征在于:电路接设于MPP的源极与漏极之间,且电路由采样PMOS管MPS和一对NMOS管相接构成,其中MPS的栅极和MPP、MPS的共源极均接输入VIN,MPP与MN2的共漏极为输出VOUT,MPS与MN1的共漏极相接于MN1、MN2的共栅极,两个NMOS管共源接地;且MPS和MPP的尺寸比例为1:K1,MN1和MN2的尺寸比例为1:K2,K2大于K1。应用本发明的自适应补偿电路,其结构简单、实用,通过采样PMOS管自适应地跟踪所产生的漏电流,并通过相连的一对NMOS管完全拉除漏电流,从而能够保障温度变换环境下LDO的输出稳定性,且常温下电路无静态电流产生,有利于优化设计参数。
搜索关键词: 电路 漏电流 采样 自适应补偿电路 温度变换环境 优化设计参数 输出稳定性 误差放大器 漏电 输出 静态电流 接地 常温下 共漏极 共源极 共栅极 自适应 共源 漏极 源极 供电 跟踪 应用
【主权项】:
1.一种用于LDO自适应漏电补偿的电路,其中LDO的供电PMOS管MPP的栅极与误差放大器EA的输出相接,其特征在于:所述电路接设于电源PMOS管MPP的源极与漏极之间,且电路由采样PMOS管MPS和一对NMOS管相接构成,其中采样PMOS管MPS的栅极和两个PMOS管MPP、MPS的共源极均接输入VIN,电源PMOS管MPP与NMOS管MN2的共漏极为输出VOUT,采样PMOS管MPS与NMOS管MN1的共漏极相接于NMOS管MN1、MN2的共栅极,两个NMOS管共源接地;且采样PMOS和电源PMOS的尺寸比例为1:K1,NMOS管MN1和MN2的尺寸比例为1:K2,K2大于K1。/n
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