[发明专利]一种用于LDO自适应漏电补偿的电路

说明书

本发明揭示了一种用于LDO自适应漏电补偿的电路，其中LDO的供电PMOS管MPP的栅极与误差放大器EA的输出相接，其特征在于：电路接设于MPP的源极与漏极之间，且电路由采样PMOS管MPS和一对NMOS管相接构成，其中MPS的栅极和MPP、MPS的共源极均接输入VIN，MPP与MN2的共漏极为输出VOUT，MPS与MN1的共漏极相接于MN1、MN2的共栅极，两个NMOS管共源接地；且MPS和MPP的尺寸比例为1：K1，MN1和MN2的尺寸比例为1：K2，K2大于K1。应用本发明的自适应补偿电路，其结构简单、实用，通过采样PMOS管自适应地跟踪所产生的漏电流，并通过相连的一对NMOS管完全拉除漏电流，从而能够保障温度变换环境下LDO的输出稳定性，且常温下电路无静态电流产生，有利于优化设计参数。

技术领域

本发明涉及一种LDO性能优化的电路设计，尤其涉及一种LDO应对温度波动自适应进行漏电补偿的电路。

背景技术

LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器，这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。

LDO是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为200mV左右；与之相比，使用NPN复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用NPN作为它的传递设备，其运行模式与正输出LDO的PNP设备类似。

然而正输出电压的LDO，当运行环境高温化后，其供电MOS管（即POWER MOS）将会产生正比性增大的漏电流，若LDO运行状态下负载电流小于该漏电流，则LDO的输出性能将大打折扣，出现不正常。

发明内容

本发明的目的旨在提出一种用于LDO自适应漏电补偿的电路，消除高温环境下自生漏电流对LDO输出性能的影响。

本发明实现上述目的的技术解决方案是，一种用于LDO自适应漏电补偿的电路，其中LDO的供电PMOS管MPP的栅极与误差放大器EA的输出相接，其特征在于：所述电路接设于电源PMOS管MPP的源极与漏极之间，且电路由采样PMOS管MPS和一对NMOS管相接构成，其中采样PMOS管MPS的栅极和两个PMOS管MPP、MPS的共源极均接输入VIN，电源PMOS管MPP与NMOS管MN2的共漏极为输出VOUT，采样PMOS管MPS与NMOS管MN1的共漏极相接于NMOS管MN1、MN2的共栅极，两个NMOS管共源接地；且采样PMOS和电源PMOS的尺寸比例为1：K1，NMOS管MN1和MN2的尺寸比例为1：K2，K2大于K1。

进一步地，所述误差放大器EA的一个输入端接入参考电压VREF，另一个输入端接入负载反馈电压VFB。

进一步地，所述尺寸比例中，K2为K1的N倍以上，N为大于2的自然数。

应用本发明的自适应补偿电路的改良设计，具备突出的实质性特点和显著的进步性：该电路结构简单、实用，通过采样PMOS管自适应地跟踪所产生的漏电流，并通过相连的一对NMOS管完全拉除漏电流，从而能够保障温度变换环境下LDO的输出稳定性，且常温下电路无静态电流产生，有利于优化设计参数。

附图说明

图1是本发明用于LDO自适应漏电补偿的电路结构示意图。

具体实施方式