[发明专利]一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法有效
| 申请号： | 201910953586.6 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110648715B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吕凯;蔡志匡;刘世欢;王荧;周正;胡善文;王子轩;郭宇锋 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G11C29/54 | 分类号： | G11C29/54;G11C29/52;G11C29/14;G11C29/44 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 张玉红 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，设计出写半选择故障测试元素：{⇕W0⇕W1column0⇕R1column0⇕R0column0'⇕W0⇕W1column1⇕R1column1⇕R0column0'}，其中{W1column0}和{W1column1}利用自定义行读写方式，即一种对指定范围的行地址进行有序的读写操作方式，将数据背景写入列地址相同、行地址顺序增加的存储单元，激活敏化出故障，随后进行读操作，将读出数据与期望数据比较，不一致则判断检测出故障。该方法能够弥补传统算法无法覆盖写半选择故障的问题，实现指定故障模型的覆盖，且有效地降低了测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 sram 选择 故障 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤1，写半选择故障模型建立；/n步骤2，写半选择故障测试元素设计；/n步骤2-1，激活敏化；/n步骤2-2，识别故障存在与否；/n步骤2-3，选择单元是否存在写半选择问题；/n步骤2-4，根据以上步骤的分析，设计出如下写半选择故障测试元素：/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910953586.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
