[发明专利]一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法

权利要求书

1.一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1，写半选择故障模型建立；

步骤2，写半选择故障测试元素设计；

步骤2-1，激活敏化；

步骤2-2，识别故障存在与否；

步骤2-3，选择单元是否存在写半选择问题；

步骤2-4，根据以上步骤的分析，设计出如下写半选择故障测试元素：

其中，S1-8依次为利用上述测试元素的写半选择故障步骤；

S1：初始化全为0，针对目前主流的低电压SRAM结构，虽然在初始化过程中可以激活敏化出写半选择故障，但不停的迭代写操作，使得最终所有的半选择单元均会置为0，因此该步骤只起到初始化的作用；

S2：对存储阵列第一列所有地址进行写1操作，激活敏化出存在于低电压SRAM中除了本次所选列的单元的其他半选择单元存在的写半选择故障；

S3：对存储阵列第一列所有地址进行读1操作，检测写1是否正确；

S4：对存储阵列第一列外所有地址进行读0操作，检测对应地址的存储单元值是否发生翻转，即是否存在写半选择故障的单元；

S5：再次初始化全为0；

S6：对第二列所有地址进行写1操作，激活敏化出存在于低电压SRAM中除了本次所选列的单元的其他半选择单元存在的写半选择故障，本次主要测试存储阵列的第一列是否存在写半选择故障；

S7：对存储阵列第二列所有地址进行读1操作，检测S6写1操作是否正确；

S8：对除第二列外所有地址进行读0操作，检测对应地址的存储单元值是否发生翻转，即是否存在写半选择故障的单元。

2.根据权利要求1所述的一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：所述步骤1中，写半选择故障模型建立，首先将由于先进工艺日渐严重的参数波动引发的写半选择问题映射到电气参数引起的问题，然后再由电气问题进行抽象逻辑建立成逻辑模型便于后续算法开发。

3.根据权利要求1所述的一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：所述步骤2-1中，对于整片SRAM测试，在同一时间对一整列的单元进行写操作，使得激活敏化写半选择故障的步骤覆盖到除选中列以外的其他列存储单元。

4.根据权利要求1所述的一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：所述步骤2-2中，在激活敏化过程之后，读出整片SRAM的响应值，然后对比期望响应，分析出有无写半选择故障的存在，因此需要读出期望响应的测试序列。

5.根据权利要求1所述的一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：所述步骤2-3中，考虑到选择单元也会存在写半选择问题，故激活敏化的测试序列还需要再次使用，但第二次使用需要更换选择单元，选择单元对象更换为另一列的所有单元。

6.根据权利要求1所述的一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，其特征在于：所述步骤2-4中，测试时间为4N+2R，N为存储阵列所有的单元数，R为存储阵列的行数。