[发明专利]一种三维存储器漏电分析方法在审
| 申请号： | 201910944255.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110729212A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘丽君;范光龙;陈金星;郭静 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种三维存储器漏电分析方法，包括：在第一三维存储器的导电接触孔表面形成导电粒子；在所述导电接触孔上加载电压；其中，所述电压的电性与所述导电粒子的电性一致；对加载所述电压后所述导电接触孔表面进行电子束检测，获取检测结果；基于所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现的图像对所述第一三维存储器进行漏电分析。 | ||
| 搜索关键词： | 导电接触孔 三维存储器 漏电 导电粒子 检测结果 电性 电子束检测 表面呈现 表面形成 加载电压 加载 分析 图像 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器漏电分析方法，其特征在于，包括：/n在第一三维存储器的导电接触孔表面形成导电粒子；/n在所述导电接触孔上加载电压；其中，所述电压的电性与所述导电粒子的电性一致；/n对加载所述电压后所述导电接触孔表面进行电子束检测，获取检测结果；基于所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现的图像对所述第一三维存储器进行漏电分析。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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