[发明专利]一种铝电解槽阴极用碳化硅捣打糊及其制备方法有效
| 申请号： | 201910929506.3 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110526714B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 翟皖予;王瑞;许大燕;范亚娟;王光强;刘会林 | 申请（专利权）人： | 中钢洛耐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/66;C04B35/622;C04B35/634;C25C3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导热且不导电、使用过程微收缩，可有效解决当前电解槽工作过程中出现的电流不稳和结构膨胀使阴极材料损坏的铝电解槽用阴极碳化硅捣打糊的制备方法。一种铝电解槽阴极用碳化硅捣打糊，原始料为碳化硅细粉、硅微粉和高铝均化料细粉，通过球磨混合均匀36‑48h，采用PAMA‑6000树脂作结合剂，经捣打成型。本发明所制备的这种阴极捣打糊具有导热不导电、微收缩等特点，完美解决了阴极炭块之前出现的一系列问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电解槽 阴极 碳化硅 捣打糊 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铝电解槽阴极用碳化硅捣打糊，其特征在于：原始料的加入重量份数为：碳化硅85~88份，硅微粉6~10份，高铝均化料3~6份；外加结合剂，结合剂为原始料总重量的18-23%。/n
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