[发明专利]调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置有效
| 申请号： | 201910925658.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110565107B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 谢宏伟;魏东;于可欣;席卫国;申庆达;张雅辰 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25C7/00;C30B29/06;C30B30/02 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 马海芳 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置，属于高温熔盐中电化学沉积硅领域。该方法以冶金硅为阳极，阴极材料为阴极，以氟硅酸盐和碱金属卤化物的混合物为熔盐电解质，采用其装置实现密封，并从进气口持续通入惰性气体，从出气口排出惰性气体，保持反应器内正压；升温，构建起高温、常压、无水，隔绝空气的环境；采用其装置对熔盐进行搅拌；电极间施加电压电沉积硅；在电沉积硅时，通过搅动熔盐电解质改变硅沉积电化学过程传质，实现调控高温熔盐中电化学沉积硅膜择优取向生长，甚至得到单晶硅沉积物。并提供了实现搅动熔盐并密封的装置，其实现了高温条件下，常压、无水，隔绝空气的熔盐环境中搅动熔盐的功能，成本低、操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 高温 熔盐中 电化学 沉积 择优取向 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法，其特征在于，采用将冶金硅作为阳极，阴极材料作为阴极，以氟硅酸盐和碱金属卤化物的混合物为熔盐电解质，其中，氟硅酸盐为Na
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