[发明专利]一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910920569.2 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110668503B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张科军;刘剑敏;戴建明;朱雪斌;孙玉平 | 申请（专利权）人： | 荆楚理工学院 |
| 主分类号： | C01G45/12 | 分类号： | C01G45/12;H01L43/08;H01L43/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 荆门市首创专利事务所 42107 | 代理人： | 董联生 |
| 地址： | 448001 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料，其生长在衬底上，所述双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的化学式为La |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 排列 纳米 结构 双层 钙钛矿锰 氧化物 单相 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料，其生长在衬底上，其特征在于所述双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的化学式为La
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