[发明专利]一种制备高纯纳米硅的方法有效
| 申请号： | 201910917286.2 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110697719B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李能;皮涛;王志勇;黄越华;邵浩明;陈松;彭杨城;李钰;余梦泽 | 申请（专利权）人： | 湖南中科星城石墨有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙中科启明知识产权代理事务所(普通合伙) 43226 | 代理人： | 匡治兵 |
| 地址： | 410600 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备高纯纳米硅的方法，包括以下步骤：将有机硅进行溶胶凝胶法制备纳米二氧化硅，通过金属氢化物将纳米二氧化硅还原成纳米一氧化硅，通过一氧化硅在高温下歧化反应生成纳米硅和纳米二氧化硅，通过氢氟酸处理去除多余纳米二氧化硅。本发明工艺简单，成本低，所得纳米硅纯度高，纳米硅尺寸小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高纯纳米硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将正硅酸乙酯、醇类、去离子水进行混合，混合均匀后加入催化剂，催化反应完成后，用乙醇超声洗涤，然后用烘箱烘干，得到纳米二氧化硅；/nS2、将步骤S1得到的产物与金属氢化物混合，放入反应炉中，在保护气氛下进行还原反应，生成纳米硅和金属氧化物；/nS3、反应冷却后，用氢氟酸洗掉步骤S2中残余的纳米二氧化硅和金属氧化物，然后用超纯水进行清洗过滤，至滤液pH值呈中性，最后真空烘干得到纳米硅。/n
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