[发明专利]芯片切割的方法和芯片在审
| 申请号： | 201910908500.8 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620082A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 曹流圣;周涛;孙永刚;苏丹 | 申请（专利权）人： | 北京比特大陆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田玉珺;毋小妮 |
| 地址： | 100192 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种芯片切割的方法和芯片，能够避免芯片在切割过程中产生边缘毛刺。所述方法包括：在待切割的多个芯片上制作金属镀层；在具有金属镀层的所述多个芯片中相邻两排芯片之间的区域，制作多个缓冲槽；基于所述多个缓冲槽所在的区域，在所述两排芯片之间制作切割道；利用切割工具沿所述切割道，进行芯片切割。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 金属镀层 芯片切割 缓冲槽 切割道 两排 制作 边缘毛刺 切割工具 切割过程 切割 申请 | ||
【主权项】：
1.一种芯片切割的方法，其特征在于，所述方法包括：/n在待切割的多个芯片上制作金属镀层；/n在具有金属镀层的所述多个芯片中相邻两排芯片之间的区域，制作多个缓冲槽；/n基于所述多个缓冲槽所在的区域，在所述两排芯片之间制作切割道；/n利用切割工具沿所述切割道，进行芯片切割。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
