[发明专利]一种偏振不敏感的超导雪崩单光子探测器在审
| 申请号： | 201910907319.5 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110686785A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 胡小龙;孟赟;邹锴;胡南;许亮;兰潇健;王昭;曹许慧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 李林娟 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种偏振不敏感的超导雪崩单光子探测器，所述探测器包括：将分形结构的N个超导纳米线单光子探测器并联形成N‑SNAPs单元，将一定数量的N‑SNAPs单元串联排列形成N‑SNAPs阵列并作为探测光敏区；所述N‑SNAPs单元由上到下分别为金、二氧化硅、超导纳米线、二氧化硅、硅、二氧化硅。其中，通过调整顶层二氧化硅的厚度优化纳米线的吸收效率。该探测器同时具有偏振不敏感、宽响应谱、高探测效率、高速率、低时域抖动等优良性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 单光子探测器 超导纳米线 偏振不敏感 探测器 高探测效率 单元串联 分形结构 厚度优化 时域抖动 吸收效率 优良性能 由上到下 光敏区 纳米线 响应谱 并联 顶层 雪崩 探测 | ||
【主权项】：
1.一种偏振不敏感的超导雪崩单光子探测器，其特征在于，所述探测器包括：/n将分形结构的N个超导纳米线单光子探测器并联形成N-SNAPs单元，将一定数量的N-SNAPs单元串联排列形成N-SNAPs阵列并作为探测光敏区；/n所述N-SNAPs单元由上到下分别为金、二氧化硅、超导纳米线、二氧化硅、硅、二氧化硅。/n
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