[发明专利]铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910895729.2 申请日: 2019-09-21
公开(公告)号: CN112536200B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 李良良;钟德京;黄蓉帅;黄福龙;周华 申请(专利权)人: 中材江苏太阳能新材料有限公司;江西中材新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司
主分类号: B05D1/02 分类号: B05D1/02;B05D1/28;B05D7/24;B05D7/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 222000 江苏省连*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,包括提供坩埚本体,坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁;将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第一混合液,将第一混合液滚涂在侧壁的内表面,形成第一氮化硅层,第一氮化硅层的表面粗糙度Ra小于20μm;将石英砂与水混合经研磨形成石英浆料,石英浆料与硅溶胶和水混合形成混合浆料,将混合浆料喷涂在第一氮化硅层上,形成石英层,石英层完全覆盖第一氮化硅层,石英层的表面粗糙度Ra为40μm‑60μm;将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第二混合液,将第二混合液喷涂在石英层上,形成第二氮化硅层,第二氮化硅层表面粗糙度Ra为60μm‑80μm,得到铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚。
搜索关键词: 铸锭 多晶 侧壁 改良 涂层 坩埚 及其 制备 方法
【主权项】:
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